采用测试校准提高器件参数精度的方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明提出一种在芯片的WAFER测试阶段采用测试仪的高精度测试通道对集成电路芯片进行器件参数校准的方法,该方法可克服集成电路制造工艺带来的电路参数偏差,简化电路设计,提高集成电路中的参数设计精度。此方法带来的测试开销小,在产品的量产测试中可实现性好。

基本信息
专利标题 :
采用测试校准提高器件参数精度的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1979367A
申请号 :
CN200510126025.7
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
叶茵
申请人 :
北京中电华大电子设计有限责任公司
申请人地址 :
100015北京市朝阳区高家园小区1号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200510126025.7
主分类号 :
G05F1/63
IPC分类号 :
G05F1/63  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统,即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/625
其中实际被调整的变量是交流或直流是没有关系的
G05F1/63
利用与负载串联的可变阻抗作为末级控制器的
法律状态
2015-10-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101722327534
IPC(主分类) : G05F 1/63
专利号 : ZL2005101260257
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京中电华大电子设计有限责任公司
变更后 : 北京中电华大电子设计有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100102 北京市朝阳区利泽中二路2号望京科技创业园A座五层
变更后 : 102209 北京市昌平区北七家未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋
2013-05-15 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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