涂敷·显影装置和涂敷·显影方法
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摘要

本发明提供一种涂敷·显影装置,其具备:处理块,在晶片上形成抗蚀剂膜后,将其运送至曝光装置,并对曝光后的基板进行显影处理;和设置在处理块和曝光装置之间的接口运送机构,上述处理块具有涂敷膜形成用的单位块、和显影处理用的单位块,它们以层叠的状态配置。在接口块运送机构发生异常时,对存在于涂敷膜形成用的单位块内的晶片,在该单位块内进行了通常的处理后,使处理后的晶片退避至收纳组件,并且禁止晶片向涂敷膜形成用的单位块内的运入。

基本信息
专利标题 :
涂敷·显影装置和涂敷·显影方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1808275A
申请号 :
CN200610006661.0
公开(公告)日 :
2006-07-26
申请日 :
2006-01-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
饱本正巳林伸一林田安松冈伸明
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
温大鹏
优先权 :
CN200610006661.0
主分类号 :
G03F7/16
IPC分类号 :
G03F7/16  G03F7/20  G03F7/26  H01L21/027  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/16
涂层处理及其设备
法律状态
2009-09-09 :
授权
2006-09-20 :
实质审查的生效
2006-07-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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