一种基于残差网络的光刻掩模优化方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于残差网络的光刻掩模优化方法，通过光刻逆向优化过程对残差网络进行训练，优化残差网络参数，随后将初始掩模图形输入网络，并将优化结果输入正向光刻模型，得到晶圆曝光图像。本发明方法通过对残差网络进行逆向优化训练，减少掩模优化迭代次数，大幅度提升深度网络准确率，避免了网络层数增加产生的梯度消失的问题，实现了对光刻生成图像的畸变校正。
基本信息
专利标题 ：
一种基于残差网络的光刻掩模优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114326329A
申请号 ：
CN202210062320.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许爽肖再南唐青曹唯一陈志强李思萌林馨怡
申请人 ：
武汉科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市青山区和平大道947号
代理机构 ：
北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓博
优先权 ：
CN202210062320.4
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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