一种掩模优化方法、掩模优化装置及电子设备
公开
摘要

本发明涉及集成电路掩模设计领域,尤其涉及掩模优化方法、掩模优化装置及电子设备,该方法包括步骤:提供包括多个待优化曝光图形的初始掩模版图;基于建立的仿真光刻模型计算获得与每个待优化曝光图形对应的亚分辨率辅助图形;基于一预设范围,获取一待优化曝光图形的所有亚分辨率辅助图形并关联,获得关联的每个亚分辨率辅助图形的尺寸信息和距离信息;基于设定的分类规则对这些信息分析以将多个待优化曝光图形分类并基于这些信息计算以获得关于该类型下的待优化曝光图形的亚分辨率辅助图形的设置规则;基于设置规则对同类型的其它待优化掩模进行优化,本发明提供的技术方案具有工艺窗口宽、优化掩模的速度快以及优化效果好的特点。

基本信息
专利标题 :
一种掩模优化方法、掩模优化装置及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114509912A
申请号 :
CN202210029186.8
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-01-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
兰涛明
申请人 :
东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼
代理机构 :
深圳市智享知识产权代理有限公司
代理人 :
罗芬梅
优先权 :
CN202210029186.8
主分类号 :
G03F1/76
IPC分类号 :
G03F1/76  G03F7/20  G06K9/62  G06V10/764  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/76
通过成像的掩膜的图案化
法律状态
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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