本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种基于套刻标识掩模的优化方法，获取待优化掩模版以及所述待优化掩模版的多组初始套刻标识的标识参数；基于预设的初步优化模板进行初步优化，使所述待优化掩模版上的所述初始套刻标识的聚焦深度提高到初步预设标准以得到初步优化掩模版；基于预设的筛选标准对所述初步优化掩模版进行筛选得到筛选后的掩模版；基于预设的二次优化模板进行二次优化，使所述二次优化模板上的套刻标识的聚焦深度提高到二次预设标准以得到二次优化掩模版。本发明还提供一种装置、计算机设备。本发明提供的一种基于套刻标识掩模的优化方法，解决了传统的掩模优化方法将需要大量的时间成本的技术问题。