特征化微光刻的掩模的方法与装置
授权
摘要
本发明关于特征化微光刻的掩模的方法及装置。在根据本发明的方法中，预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元(610)照明，其中掩模(621)由成像光学单元(630)成像在检测器单元(640)上，其中由检测器单元(640)所记录的图像数据在评估单元(650)中被评估。在此情况下，为模拟针对在微光刻投射曝光设备中的光刻工艺所预定义的照明设定，在多个单独成像中进行掩模(621)到检测器单元(640)上的成像，其中多个单独成像在照明光学单元(610)中所设定的照明设定方面彼此不同或在成像光学单元(630)中所设定的偏振影响效应方面彼此不同。
基本信息
专利标题 ：
特征化微光刻的掩模的方法与装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109212896A
申请号 ：
CN201810729197.0
公开（公告）日 ：
2019-01-15
申请日 ：
2018-07-05
授权号 ：
CN109212896B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
H.塞茨U.布特格雷特T.塞勒T.弗兰克U.马特吉卡M.德冈瑟R.比尔克纳D.格劳
申请人 ：
卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请人地址 ：
德国上科亨
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邱军
优先权 ：
CN201810729197.0
主分类号 ：
G03F1/84
IPC分类号 ：
G03F1/84
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/82
辅助工艺，例如清洗
G03F1/84
检查
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/84
申请日 : 20180705
申请日 : 20180705
2019-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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