用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法
授权
摘要
本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。一种用于EUV光掩模的薄膜包括基膜层、设置在所述基膜层上方的核心层、以及设置在所述核心层上方的一个或多个金属层。
基本信息
专利标题 ：
用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110416069A
申请号 ：
CN201910353829.2
公开（公告）日 ：
2019-11-05
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN110416069B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
林云跃
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN201910353829.2
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-11-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20190429
申请日 : 20190429
2019-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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