光刻装置以及光刻装置的基底调整方法
公开
摘要
本发明公开了一种光刻装置以及光刻装置的基底调整方法,所述光刻装置包括工件台和辊轮台,所述辊轮台用于传送基底至所述工件台上,所述工件台包括基底调整装置,所述基底调整装置用于调整基底在基底工位上的Rz方向位置,所述基底调整装置包括若干个吸附旋转模块、若干个夹持模块以及若干个驱动模块,当基底发生Rz方向偏移时,所述吸附旋转模块支撑若干个基底,所述夹持模块夹持基底,并带动基底绕所述吸附旋转模块转动,以此可以调整基底在基底工位上的Rz方向位置。
基本信息
专利标题 :
光刻装置以及光刻装置的基底调整方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114609869A
申请号 :
CN202011412052.1
公开(公告)日 :
2022-06-10
申请日 :
2020-12-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈雄宋光辉李新振
申请人 :
上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张东路1525号
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
王宏婧
优先权 :
CN202011412052.1
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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