用于测量基底的装置和方法
公开
摘要

本发明涉及一种用于测量多层的基底(1,1',1'')的方法,基底尤其是具有带有临界尺寸的至少一个结构(7,7',7'',7''',7IV,7V),基底尤其是具有带有临界尺寸的表面结构(7,7',7'',7''',7IV,7V),其特征在于,方法至少具有以下步骤,尤其是以下过程:‑制造(110)具有多个层(2,3,4,5,6,6',6'')的基底(1,1',1''),基底尤其是具有结构(7,7',7'',7''',7IV,7V),尤其是在最上层(6,6',6'')的表面(6o,6'o,6''o)上具有结构(7,7',7'',7''',7IV,7V),其中,层和尤其是结构的尺寸是已知的,‑利用至少一种测量技术测量(120)基底(1,1',1''),和尤其是结构(7,7',7'',7''',7IV,7V),‑利用来自基底(1,1',1'')的测量的测量结果创建(130)基底的模拟,‑将测量结果与来自基底(1,1',1'')的模拟的模拟结果进行比较(140),‑如果测量结果与模拟结果存在偏差,则优化模拟(130)并利用来自基底(1,1',1'')的测量的测量结果重新创建(130)基底的模拟,或者如果测量结果相应于模拟结果,则计算(150)另外的基底的参数。

基本信息
专利标题 :
用于测量基底的装置和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114616455A
申请号 :
CN201980102109.7
公开(公告)日 :
2022-06-10
申请日 :
2019-11-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
J·加西罗夫斯基M·温普林格
申请人 :
EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请人地址 :
奥地利圣弗洛里安
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
郭帆扬
优先权 :
CN201980102109.7
主分类号 :
G01N21/21
IPC分类号 :
G01N21/21  G01B11/02  G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/21
影响偏振的性质
法律状态
2022-06-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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