阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种阵列基底，所述阵列基底包括基底、开关元件和像素电极。开关元件在基底上。开关元件包括多晶硅图案，多晶硅图案具有至少一个块。在多个方向上延伸的晶粒形成在所述至少一个块的各个中。像素电极电连接到开关元件。因此，提高了开关元件的电流流动性和设计余量。

基本信息

专利标题：

阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1905198A

申请号：

CN200610058138.2

公开（公告）日：

2007-01-31

申请日：

2006-03-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱胜镛姜明求

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

郭鸿禧

优先权：

CN200610058138.2

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/84 G02F1/136

法律状态

2022-02-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20060306
授权公告日 : 20101103
终止日期 : 20210306

2013-01-23 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101498613274
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100581382
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416
变更后权利人 : 韩国京畿道龙仁市
登记生效日 : 20121219

2010-11-03 ：

授权

2008-07-23 ：

实质审查的生效

2007-01-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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