结晶制造装置
授权
摘要
提供一种结晶制造装置，在保持于炉内的坩埚(11)内配置晶种(14)，对填充于坩埚(11)内的原料(12)进行加热液化，从坩埚(11)的下方朝向上方慢冷却原料(12)，由此使结晶成长，该结晶制造装置具备温度控制机构，其对晶种(14)的附近局部地进行冷却或加热。温度控制机构根据安装在坩埚(11)的外侧的中空构造的罩(17)和在中空部流动的制冷剂的流量调整对温度进行控制。从而，局部地控制晶种附近的温度分布，根据最佳温度条件，使高质量结晶以高的成品率成长。
基本信息
专利标题 ：
结晶制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1930328A
申请号 ：
CN200580005529.1
公开（公告）日 ：
2007-03-14
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
笹浦正弘香田扩树藤浦和夫
申请人 ：
日本电信电话株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580005529.1
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2009-07-08 ：
授权
2007-05-16 ：
实质审查的生效
2007-03-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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