合成宝石用结晶体的制造方法
授权
摘要
本申请涉及一种合成宝石用结晶体的制造方法。合成宝石用结晶体的制造方法包括：准备包含n型杂质的SiC单晶体的工序；以及通过向SiC单晶体照射电子射线，在SiC单晶体内生成碳空位的工序，以碳空位的密度大于n型杂质的密度的方式设定照射电子射线的照射能以及照射量。
基本信息
专利标题 ：
合成宝石用结晶体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114164498A
申请号 ：
CN202111465301.8
公开（公告）日 ：
2022-03-11
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN114164498B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
小原亦聪木本恒畅
申请人 ：
株式会社宝利雅
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李雪
优先权 ：
CN202111465301.8
主分类号 ：
C30B33/04
IPC分类号 ：
C30B33/04 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/04
用电场或磁场或粒子辐射
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2022-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/04
申请日 : 20211203
申请日 : 20211203
2022-03-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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