结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法

公开

摘要

一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为1×10⁷cm^‑2以下且表面积为10mm²以上的结晶膜。

基本信息

专利标题：

结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114270531A

申请号：

CN202080059351.3

公开（公告）日：

2022-04-01

申请日：

2020-08-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

河原克明大岛祐一冲川满

申请人：

株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构

申请人地址：

日本京都

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司

代理人：

刁兴利

优先权：

CN202080059351.3

主分类号：

H01L29/24

IPC分类号：

H01L29/24 C30B23/04 C30B25/04

法律状态

2022-04-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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