结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板
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摘要
一种结晶性被控制的氧化镁单晶以及使用该单晶的基板，该结晶性被控制的氧化镁单晶具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线位置的变动幅度为：Δω座标的变动幅度为1×10－3～2×10－2度，并且2θ座标的变动幅度为4×10－4～5×10－3度。
基本信息
专利标题 ：
结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101094940A
申请号 ：
CN200580045352.8
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东淳生川口祥史国重正明
申请人 ：
达泰豪化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本兵库县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200580045352.8
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C30B29/22 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2010-05-26 ：
授权
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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