氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种单晶MgO蒸镀材料，其作为靶材用于使用以电子束蒸镀法为首的真空蒸镀法在基板上形成MgO膜，其中，该单晶MgO蒸镀材料防止产生喷溅，提高优异的膜特性例如用作PDP用保护膜时的放电特性等而未减小蒸镀时的成膜速度。一种氧化镁(200)面的摇摆曲线的半值宽度为0.005～0.025度的氧化镁单晶蒸镀材料、以及包括破碎氧化镁单晶的工序的氧化镁单晶蒸镀材料制造方法，其中，所述破碎工序包括通过以－5～+5度范围内的角度，使刃状冲击体对氧化镁(100)面方位进行冲击，以将其解理的工序。
基本信息
专利标题 ：
氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107380A
申请号 ：
CN200680003252.3
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东淳生川口祥史国重正明
申请人 ：
达泰豪化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本兵库县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200680003252.3
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 H01J9/02 H01J11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651893331
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利号 : ZL2006800032523
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20121031
终止日期 : 20150126
号牌文件序号 : 101651893331
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利号 : ZL2006800032523
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20121031
终止日期 : 20150126
2012-10-31 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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