氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种单晶MgO蒸镀材料，其作为一种靶材使用，该靶材用于使用以电子束蒸镀法为首的真空蒸镀法在基板上形成MgO膜。该蒸镀材料不降低蒸镀时的成膜速度，可防止产生飞溅，并且可提高优异的膜特性，例如作为PDP用保护膜使用时的放电特性等。蒸镀材料由氧化镁单晶形成，将所述蒸镀材料的最大投影面的等效圆直径设为D(m)、将与所述最大投影面垂直的方向的厚度设为t(m)、将蒸镀材料的体积设为V(m3)时，D/t为4以上，t为0.4×10－3m以上，V为5×10－9m3以上，并且，所述最大投影面的总面积的90％以上是由(100)面、(110)面及(111)面中的至少一种构成。
基本信息
专利标题 ：
氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124347A
申请号 ：
CN200680005522.4
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东淳生川口祥史国重正明
申请人 ：
达泰豪化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本兵库县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200680005522.4
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2016-04-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101654737124
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利号 : ZL2006800055224
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20110720
终止日期 : 20150221
号牌文件序号 : 101654737124
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利号 : ZL2006800055224
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20110720
终止日期 : 20150221
2011-07-20 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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