单晶氧化镁及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10－6～1000×10－6kg/kg、硅含量为10×10－6kg/kg以下，并且通过TOF－SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。
基本信息
专利标题 ：
单晶氧化镁及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101146936A
申请号 ：
CN200680009667.1
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东淳生川口祥史国重正明
申请人 ：
达泰豪化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本兵库县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200680009667.1
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C01F5/02 C23C14/08
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2011-01-19 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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