磁性石榴石单晶及使用其的光学元件和单晶的制造方法
授权
摘要
本发明涉及通过液相外延(LPE)法生长的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法，其目的在于提供降低了铅含量的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法。本发明涉及一种通过液相外延生长法生长得到的用化学式BixNayPbzM13－x－y－zFe5－wM2wO12表示的磁性石榴石单晶(式中的M1表示从Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出的至少1种以上元素，M2表示从Ga、Al、In、Ti、Ge、Si、Pt中选出的至少1种以上元素，0.5＜x≤2.0、0＜y≤0.8、0≤z＜0.01、0.19≤3－x－y－z＜2.5、0≤w≤1.6)。
基本信息
专利标题 ：
磁性石榴石单晶及使用其的光学元件和单晶的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101061263A
申请号 ：
CN200580039676.0
公开（公告）日 ：
2007-10-24
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大井户敦
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200580039676.0
主分类号 ：
C30B29/28
IPC分类号 ：
C30B29/28 C30B19/00 G02F1/09
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/28
分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石
法律状态
2011-03-23 ：
授权
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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