母盘基底和制造高密度浮雕结构的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种用于光学记录的母盘基底(10)，包括记录层(12)和基底层(14)，该记录层包括生长受控相变材料，相变材料关于化学试剂的化学特性由于通过将光投射在记录层上所引起的相变而可以改变。出于跟踪目的，基底层包括预凹槽(16)。本发明进一步涉及一种制造用于复制高密度浮雕结构的压模的方法。
基本信息
专利标题 ：
母盘基底和制造高密度浮雕结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044566A
申请号 ：
CN200580035787.4
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·R·迈因德斯
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
龚海军
优先权 ：
CN200580035787.4
主分类号 ：
G11B7/26
IPC分类号 ：
G11B7/26
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B7/00
用光学方法，例如，用光辐射的热射束记录用低功率光束重现的；为此所用的记录载体
G11B7/24
按形状、结构或物理特性或所选用的材料区分的记录载体
G11B7/26
专用于记录载体制造的工艺方法或设备
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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