用于蚀刻的牺牲基底
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摘要
描述了一种蚀刻硅基底的方法。所述方法包括将第一硅基底(200)接合到牺牲硅基底(240、241)。蚀刻所述第一硅基底(200)。在所述第一硅基底(200)和牺牲硅基底(240、241)的界面处施加压力，以导致第一硅基底(200)和牺牲硅基底(240、241)分离。具有金属刀片(620)的设备可以用于分离所述基底。
基本信息
专利标题 ：
用于蚀刻的牺牲基底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101080360A
申请号 ：
CN200580043023.X
公开（公告）日 ：
2007-11-28
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杰弗里·伯克迈耶斯蒂芬·R·戴明
申请人 ：
富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司
申请人地址 ：
美国新罕布什尔州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200580043023.X
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 H01L21/762 B28D5/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2012-10-31 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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