图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法，图形失真为掩模上安装保护膜而引起，包括以下步骤：测量安装保护膜的掩模产生的第一图形特征；测量未安装保护膜的掩模产生的第二图形特征；基于第一图形特征、第二图形特征之间的差异建立图形失真模型；根据图形失真模型计算补偿量。本申请实施例可以自动对各种情况导致的误差进行补偿，并可以预测多种情况下的保护膜导致的图形失真，提高了图形失真补偿的准确性以及效率。
基本信息
专利标题 ：
图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114442422A
申请号 ：
CN202011225142.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田范焕梁时元贺晓彬刘金彪杨涛李亭亭
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011225142.X
主分类号 ：
G03F1/48
IPC分类号 ：
G03F1/48 G03F1/44 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/38
具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F1/48
保护涂层
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/48
申请日 : 20201105
申请日 : 20201105
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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