一种直写式光刻机曝光方法

授权

摘要

本发明公开了一种直写式光刻机曝光方法，属于半导体光刻机图形图像处理技术领域，包括在曝光前，设定曝光模式为N排M列DMD模式，划分每个DMD对应的曝光区域，任意一排DMD曝光图形的总宽度为直写光刻版图的宽度，任意一列DMD曝光图形的总高度为直写光刻版图的高度；利用各DMD进行曝光处理，并输出对应的光刻版图曝光图形；将每个DMD与直写式精密平台进行匹配，将光刻版图呈现在曝光的基底上。本发明利用多排DMD对光刻版图进行曝光区域划分，减少了单次曝光的时间，大幅度提升产能。

基本信息

专利标题：

一种直写式光刻机曝光方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110597019A

申请号：

CN201910815604.4

公开（公告）日：

2019-12-20

申请日：

2019-08-30

授权号：

CN110597019B

授权日：

2022-04-19

发明人：

赵美云

申请人：

合肥芯碁微电子装备有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F3楼11层

代理机构：

合肥天明专利事务所(普通合伙)

代理人：

奚华保

优先权：

CN201910815604.4

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2020-02-18 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : G03F 7/20
变更事项 : 申请人
变更前 : 合肥芯碁微电子装备有限公司
变更后 : 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F3楼11层
变更后 : 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F3楼11层

2020-01-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20190830

2019-12-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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