TFT阵列半曝光光刻工艺
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。本发明可以应用于TFT－LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次光刻工艺即形成上述图形，比传统工艺减少一次或多次光刻，可以减少光刻掩模版的成本和减少工序数目，对于节约成本和减短工艺时间、增加生产量有很大作用。
基本信息
专利标题 ：
TFT阵列半曝光光刻工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996147A
申请号 ：
CN200510112257.7
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢晓明谭智敏
申请人 ：
上海广电NEC液晶显示器有限公司
申请人地址 ：
201108上海市闵行区华宁路3388号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
薛琦
优先权 ：
CN200510112257.7
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F7/26 H01L21/027 H01L29/786
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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