曝光晶圆的调平方法及光刻曝光的方法
公开
摘要
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种曝光晶圆的调平方法及光刻曝光的方法，包括以下步骤：获取所述晶圆上不同图形的原始调平数据；根据掩膜版上设计图形的位置来获得不同图形的调平数据；根据所述调平数据对所述原始调平数据进行补偿。本发明的实施例中曝光晶圆的调平方法能够改善晶圆曝光制程中晶圆调平的性能，提高曝光效率。
基本信息
专利标题 ：
曝光晶圆的调平方法及光刻曝光的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114563923A
申请号 ：
CN202011355386.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田范焕梁时元贺晓彬李亭亭杨涛刘金彪
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011355386.X
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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