一种晶圆的预处理方法及光刻方法
授权
摘要
本发明提供一种晶圆的预处理方法及光刻方法，所述预处理方法包括：提供待预处理的晶圆；将晶圆置于温度设置在预设反应温度且具有预设真空值的密闭腔体内；将具有预设流量值的氮气加压的雾状增黏剂喷向所述晶圆的上表面，使得增黏剂和晶圆表面的羟基发生反应以除去水汽和亲水键结构，其中，在对晶圆进行预处理的过程中，所述预设流量值的范围为2L/min‐5L/min。采用本发明的方法，由于在对晶圆进行预处理的过程中，所述预设流量值的范围为2L/min‐5L/min，在该范围中能够实现光刻接触角的最大值，因此，直接通过晶圆的预处理方法就可以解决光刻胶漂移的问题，不需要增加额外的步骤，不会影响产能和周期时间。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆的预处理方法及光刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109962026A
申请号 ：
CN201711442776.9
公开（公告）日 ：
2019-07-02
申请日 ：
2017-12-26
授权号 ：
CN109962026B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王辉张燕
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
汪洋
优先权 ：
CN201711442776.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/027 G03F7/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-07-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20171226
申请日 : 20171226
2019-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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