一种晶圆刻蚀预处理装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆刻蚀预处理装置,包括底座,所述底座的两侧固定连接有支架,两侧所述支架的固定连接有顶板,所述底座的中心处固定设置有电机,所述电机的两侧固定连接有支撑板,所述支撑板的中心处转动连接有螺纹杆,所述电机的转动轴的顶端固定连接有螺纹杆,所述螺纹杆的周侧螺纹传动连接有活塞杆,所述活塞杆的周侧滑动连接有呼吸管,所述支撑板的顶部固定连接有多个呼吸管,多个所述呼吸管远离螺纹杆的一侧设置有呼吸台,本实用新型通过设置呼吸管和呼吸台,通过吸气的方式对晶圆进行固定,通过呼气的方式对晶圆取消固定,保证研磨时晶圆的稳定性。设置喷水口和喷水座,使得晶圆在研磨的同时即可进行清洗,减少预处理所消耗的时间。
基本信息
专利标题 :
一种晶圆刻蚀预处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921951465.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-13
授权号 :
CN210837700U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
段勇沈泽康
申请人 :
江苏英锐半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省盐城市盐城经济技术开发区综合保税区纽约中路1号3号标准厂房
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921951465.X
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683 H01L21/67 B08B3/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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