刻蚀系统
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种刻蚀系统包括：刻蚀腔，用于对基片进行刻蚀；检测腔，用于对基片的刻蚀结果进行检测；沉积腔，用于对检测腔内检测后的的基片进行沉积；光学检测装置，包括光学模块以及检测控制模块，光学模块位于检测腔内，用于在检测控制模块的控制下检测对基片的刻蚀结果；其中，基片在刻蚀腔、沉积腔、检测腔之间转移时处于真空状态；中控设备，电连接检测控制模块，用于根据基片的刻蚀结果控制检测腔内的基片进入沉积腔或者刻蚀腔。本申请可以有效提高半导体产品生产良率。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284182A
申请号 ：
CN202111632055.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国斌刘宗亮
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202111632055.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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