半导体曝光方法与操作半导体曝光装置的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体曝光方法，适于利用一曝光机台对一晶片进行曝光。这种曝光机台至少是由一曝光镜头、用来承载晶片的一承载台以及一液体循环装置构成，其中液体循环装置在曝光期间于曝光镜头与晶片之间供应一液体，其特征在于，曝光前，利用至少一对准光源对承载台进行一对准操作，其中对准光源具有一特定波长，使液体挥发时对对准光源的影响降至最低，以防止液体影响前述对准操作。
基本信息
专利标题 ：
半导体曝光方法与操作半导体曝光装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101025580A
申请号 ：
CN200610051414.2
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林思闽李修申
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610051414.2
主分类号 ：
G03F9/00
IPC分类号 ：
G03F9/00 G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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