套刻偏差的测量方法
公开
摘要
一种套刻偏差的测量方法，包括：提供第一批次晶圆，第一批次晶圆中包括若干第一测量点；采用第一波长光源对第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值组；采用第二波长光源对第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值组；获取第二测量值组与第一测量值组之间的偏差值组；提供第二批次晶圆，第二批次晶圆中包括若干第二测量点；采用第一波长光源对第二批次晶圆进行测量，获取第三测量值组；将第三测量值组与偏差值组相加，获取第四测量值组。使得第二批次晶圆在具有高测量效率的同时，测量精度也有效提升。
基本信息
专利标题 ：
套刻偏差的测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609090A
申请号 ：
CN202011424765.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张海杨晓松吴怡旻
申请人 ：
中芯南方集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011424765.X
主分类号 ：
G01N21/47
IPC分类号 ：
G01N21/47 G01B11/02 G01B11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/47
散射，即漫反射
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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