测量光刻套刻精度的标尺及方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种测量光刻套刻精度的标尺，该标尺由中心相互重合、四个边相互平行的内外两个正方形组成，其中在内的正方形边长为10μm，在外的正方形边长为20μm，还包括以上述正方形的中心为原点的横向和纵向两个坐标轴，该坐标轴上标有刻度。本发明测量光刻套刻精度的方法，包括以下步骤：第一步，将标尺贴在显示器上；第二步，根据该标尺的位置调整套刻盒记号的位置，使两者的在内的正方形或在外的正方形相互重合；第三步，判断该套刻盒记号的套刻精度。本发明通过标尺带有刻度的标尺，可以测量已有技术无法测量的套刻精度。
基本信息
专利标题 ：
测量光刻套刻精度的标尺及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983032A
申请号 ：
CN200510111412.3
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜晓艳
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111412.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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