一种套刻精度测量装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种套刻精度测量装置，包括晶圆；位于晶圆表面的多个第一功能层，多个第一功能层呈矩阵均匀分布；通过预设套刻设备在第一功能层背向晶圆一侧设置的多个第二功能层，第一功能层与第二功能层一一对应，第二功能层呈矩阵均匀分布，相邻第二功能层之间的间距不等于相邻第一功能层之间的间距，位于晶圆中心的第一功能层的中心与对应的第二功能层的中心相互对位；用于检测任一第一功能层与对应的第二功能层之间性能参数的检测设备，以及用于根据性能参数生成对应的二维热力图的生成设备。由于二维热力图具体由性能参数构成而非光学信息，从而可以实现在材料透光度较低的情况下测量套刻精度。
基本信息
专利标题 ：
一种套刻精度测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020560078.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-15
授权号 ：
CN211404455U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
杨保林王明哀立波
申请人 ：
浙江驰拓科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王云晓
优先权 ：
CN202020560078.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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