一种用于监测集成电路套刻精度的测试结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于监测集成电路套刻精度的测试结构，包括第二单元电阻、第一单元电阻、第三单元电阻、绝缘层和第二条形金属，所述第二条形金属的一端设置有第二焊垫，所述第二条形金属的一侧设置有金属板，所述金属板的顶端设置有第一金属层，且第一金属层的内侧均匀设置有金属线结构，所述绝缘层的顶端设置有第二金属层。本实用新型通过在第一金属层的内侧均匀设置有金属线结构，当金属线移动偏移时，进行判断出偏移方向和偏移量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于监测集成电路套刻精度的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921624212.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN211578699U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
向彦瑾
申请人 ：
四川豪威尔信息科技有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市科创区孵化大楼C区4楼1716创业工场
代理机构 ：
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄冠华
优先权 ：
CN201921624212.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/77
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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