一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记
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摘要
本申请实施例公开一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，其中，所述套刻标记方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；在所述第一材料层之后形成第二材料层；在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。
基本信息
专利标题 ：
一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111162056A
申请号 ：
CN202010003058.7
公开（公告）日 ：
2020-05-15
申请日 ：
2020-01-02
授权号 ：
CN111162056B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
万浩卢绍祥李伟郭芳芳陆聪轩攀登
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李洋
优先权 ：
CN202010003058.7
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20200102
申请日 : 20200102
2020-05-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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