一种套刻标记的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种套刻标记的制备方法，属于集成电路制备工艺技术领域。它包括提供衬底，衬底上形成有金属层；图形化金属层以获得位于衬底表面的套刻标记区；形成掩模层于金属层上，掩模层上与套刻标记区相对应的位置形成有悬垂的图形窗口，且图形窗口与待制备的套刻标记的形状一致；以掩模层为掩模，通过图形窗口蒸镀标记材料于套刻标记区；去除掩模层，套刻标记区上的标记材料形成套刻标记，从而解决现有技术中直接在晶圆(Wafer)上的铝膜等金属表面蒸镀贵金属Au等制作套刻标记时所产生的黑点、腐蚀痕迹等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种套刻标记的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334906A
申请号 ：
CN202011058736.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵勇杰
申请人 ：
合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011058736.6
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/02 G03F1/80 G03F9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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