套刻标记及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻标记及其形成方法。所述套刻标记包括：第一组衍射套刻标记，包括呈周期性排布的多个第一标记、以及位于所述第一标记上方且呈周期性排布的多个第二标记；第二组衍射套刻标记，包括呈周期性排布的多个所述第二标记、以及位于所述第二标记上方且呈周期性排布的多个第三标记，所述第二组衍射套刻标记的投影完全覆盖全部的所述第一标记。本发明减少了套刻标记整体所占用的切割道区域面积，提高了切割道区域面积的利用率，且提高了套刻测量的准确度。
基本信息
专利标题 ：
套刻标记及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114326325A
申请号 ：
CN202111639652.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
易洪深杨尊
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202111639652.6
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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