套刻标记的形成方法及半导体结构
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摘要
本发明涉及一种套刻标记的形成方法及半导体结构。所述套刻标记的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面具有标记层和覆盖于所述标记层表面的第一掩膜层，所述标记层包括第一标记区域和位于所述第一标记区域端部的第二标记区域；于所述第一掩膜层的第一图形区形成多个第一沟槽，于所述第一掩膜层第二图形区域形成多个第二沟槽；形成覆盖所述第一沟槽侧壁和所述第二沟槽侧壁的间隔层；回填第一沟槽和第二沟槽，形成第二掩膜层；去除所述间隔层；刻蚀所述标记层，于所述第一标记区域形成主套刻标记，并于所述第二标记区域形成伪套刻标记。本发明能够形成完整的、并完全贯穿标记层的主套刻标记，确保了半导体制程工序的顺利进行。
基本信息
专利标题 ：
套刻标记的形成方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113013076A
申请号 ：
CN202110209604.7
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-02-25
授权号 ：
CN113013076B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
郭帅
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202110209604.7
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L23/544
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/68
申请日 : 20210225
申请日 : 20210225
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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