套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法
授权
摘要
本申请提供一种套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法，涉及半导体制造技术领域。本申请在层叠设置且套刻标记区域位置重叠的显影光刻层、顶部光刻层、中间光刻层及底部光刻层中，通过使显影光刻层、顶部光刻层及底部光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向一致，使中间光刻层与其他光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向相交，从而降低除显影光刻层与顶部光刻层以外的其他已制备的光刻层产生非必要衍射光信号的可能性，使套刻误差量测时采集到的衍射光信号尽量仅包括显影光刻层与顶部光刻层所产生的衍射光信号，提升套刻误差的计算精准度。
基本信息
专利标题 ：
套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112230514A
申请号 ：
CN202011149826.6
公开（公告）日 ：
2021-01-15
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
CN112230514B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
曾暐舜陈庆煌刘志成王见明
申请人 ：
泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董艳芳
优先权 ：
CN202011149826.6
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-02-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2021-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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