量测方法
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摘要
公开了一种用于测量与具有至少两个层的结构有关的感兴趣参数的方法和相关联的装置。方法包括利用测量辐射照射该结构并且检测由上述结构散射的散射辐射。散射辐射包括正常和互补的更高衍射阶。限定将散射辐射参数与至少一个感兴趣参数关联的散射测量模型和将散射辐射参数与至少一个不对称参数关联的不对称模型，该不对称参数与一个或多个测量系统误差和/或目标中的除两个层之间未对准之外的不对称有关。散射测量模型和不对称模型的组合被用于确定方程组，然后针对感兴趣的参数对方程组求解。
基本信息
专利标题 ：
量测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111201489A
申请号 ：
CN201880065666.1
公开（公告）日 ：
2020-05-26
申请日 ：
2018-10-09
授权号 ：
CN111201489B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
N·加瓦赫里M·哈吉阿玛迪M·博兹库尔特A·达科斯塔·埃萨弗劳M·J·诺特S·G·J·马斯杰森廉晋
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN201880065666.1
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G01N21/47 H01L23/544
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-06-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20181009
申请日 : 20181009
2020-05-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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