本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的量测方法及量测装置。所述半导体结构的量测方法包括如下步骤：获取当前半导体结构的量测结果，所述量测结果包括针对所述当前半导体结构当前图形特征尺寸的当前量测数据和当前量测图像；当所述当前量测数据在一阈值范围内时，则将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比；当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度大于或者等于预设值时，则确认所述量测结果正常。本发明避免了量测数据在阈值范围内而量测图像异常的半导体结构流入下一制程，提高了半导体结构特征尺寸量测的准确度和可靠性，改善了半导体产品的良率。