量测标记结构和确定量测标记结构的方法
公开
摘要
本文描述具有子分段光栅结构作为量测标记的半导体器件的结构和用于配置所述量测标记的方法。用于配置量测标记的方法可以用于光刻过程中。所述方法包括确定设置于叠置层内的初始量测标记的初始特性函数。所述方法还包括使所述量测标记的多个子分段的一个或更多个变量(例如所述多个子分段的节距、占空比和/或线宽)扰动以及另外使所述叠置层内的一个或更多个层的厚度扰动。所述方法还包括迭代地执行扰动，直到确定初始量测标记的最小化特性函数以设置用于所述多个子分段的配置为止。
基本信息
专利标题 ：
量测标记结构和确定量测标记结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556223A
申请号 ：
CN202080071855.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·M·T·A·M·埃拉扎里罗伯特·约翰·索卡S·鲁S·R·胡伊斯曼
申请人 ：
ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张启程
优先权 ：
CN202080071855.7
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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