图形关键尺寸的量测方法

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摘要

本申请公开了一种图形关键尺寸的量测方法，涉及半导体制造领域。该图形关键尺寸的量测方法包括利用曝光机对晶圆上的各个曝光单元进行曝光，所述晶圆被曝光后各个曝光单元上形成的特定图形不相同；利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸；在利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸时，针对各个曝光单元建立不同的参照图形；解决了目前曝光单元上特定图形差异较大时，套刻量测机台采用一个参照图形量测全部曝光单元容易出现报错的问题；达到了避免套刻量测机台量测失败，提高关键尺寸的量测稳定性的效果。

基本信息

专利标题：

图形关键尺寸的量测方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112612184A

申请号：

CN202011468395.X

公开（公告）日：

2021-04-06

申请日：

2020-12-14

授权号：

CN112612184B

授权日：

2022-06-07

发明人：

栾会倩吴长明姚振海金乐群姜冒泉

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新洲路30号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

罗雅文

优先权：

CN202011468395.X

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G01B11/00