3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法
授权
摘要
本发明公开了一种3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法。该监测方法包括：在衬底上形成叠层结构和以平面图案分布的多个测量结构；以及采用多次刻蚀步骤，在所述叠层结构中形成第一台阶结构、第二台阶结构，以及连接所述第一台阶结构和所述第二台阶结构的桥接结构；其中，在所述多个刻蚀步骤中，采用所述多个测量结构分别测量所述桥接结构的线宽变化。该监测方法采用平面图案的测量结构测量和表征桥接结构的关键尺寸并通过改进工艺参数对其关键尺寸进行优化，从而提高半导体器件的良率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113394127A
申请号 ：
CN202110665945.5
公开（公告）日 ：
2021-09-14
申请日 ：
2021-06-16
授权号 ：
CN113394127B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
方超
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202110665945.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L23/544
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-10-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210616
申请日 : 20210616
2021-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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