一种掩膜版图形关键尺寸精度优化方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及掩膜版光刻曝光，具体涉及一种掩膜版图形关键尺寸精度优化方法，设计具有不同图形缝隙面积占比ε的图形，并进行曝光量δ设计；采用固定的湿法制程工艺和CD测量系统，并计算关键尺寸偏差，建立曝光量δ与图形缝隙面积占比ε的关键尺寸偏差模型；截取客户订单主图形，分析计算对应的图形缝隙面积占比ε；基于关键尺寸偏差模型选择合适的曝光量δ，并根据关键尺寸偏差结果进行优化；本发明提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的光刻曝光图形在关键尺寸上与设计值之间存在不稳定偏差的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种掩膜版图形关键尺寸精度优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545727A
申请号 ：
CN202210205001.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐智俊李文徐兵杜晓威
申请人 ：
合肥清溢光电有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区谷河路与通淮路交口东北角
代理机构 ：
合肥律众知识产权代理有限公司
代理人 ：
夏舜
优先权 ：
CN202210205001.4
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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