OPC模型建立过程中针对大尺寸非关键层图形的光学参数优化...
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摘要
本发明公开了一种OPC模型建立过程中针对大尺寸非关键层图形的光学参数优化方法，包括：收取最佳曝光条件下的CDSEM数据；初选离胶起始位置的初始值和光束焦点的初始值；构建离胶起始位置‑光束焦点的所有初始值组合；对每个离胶起始位置‑光束焦点的初始值组合进行复选，在每个离胶起始位置‑光束焦点的初始值组合中确定一个离胶起始位置‑光束焦点的最佳值组合；对所有的离胶起始位置‑光束焦点的最佳值组合进行分析比对，从中确定最终的离胶起始位置‑光束焦点组合。本发明在不需要收集工艺窗口条件下的CDSEM数据的前提下，可以对离胶起始位置和光束焦点进行快速高效的筛选和组合，而且可以同时获得多个离胶起始位置‑光束焦点组合，提供更多选择。
基本信息
专利标题 ：
OPC模型建立过程中针对大尺寸非关键层图形的光学参数优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110209011A
申请号 ：
CN201910382467.X
公开（公告）日 ：
2019-09-06
申请日 ：
2019-05-09
授权号 ：
CN110209011B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
魏娟
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
栾美洁
优先权 ：
CN201910382467.X
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20190509
申请日 : 20190509
2019-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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