晶片直接键合过程中实验参数的优化方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对III/V－Si晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片清洗阶段；预键合阶段；高温热处理阶段；去衬底阶段。本发明分别对各个阶段的一系列关键参数通过理论和实验论证进行了优化。通过键合InP基结构片在Si上后，利用湿法腐蚀去InP衬底，在外延层上很少发现有气泡的存在。在我们后续阶段利用键合在硅上的InP外延量子阱结构片，成功的制作出了InP基端发射激光器。本发明可广泛应用于微电子和硅基光电子领域。
基本信息
专利标题 ：
晶片直接键合过程中实验参数的优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996551A
申请号 ：
CN200510130770.9
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵洪泉于丽娟黄永箴
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200510130770.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/18 H01L33/00 H01S5/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2011-03-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101056290968
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101307709
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20100128
号牌文件序号 : 101056290968
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101307709
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20100128
2008-10-22 ：
授权
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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