一种套刻误差的补偿方法及装置
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摘要
本发明实施例提供一种套刻误差的补偿方法及装置,方法包括:针对当前批次的晶圆,按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域,所述n值为大于1的整数;针对不同区域,利用对应的套刻误差补偿值计算模型确定每个区域的套刻误差补偿值;对所述当前批次的下一批次晶圆进行光刻时,利用所述n个区域的套刻误差补偿值分别对所述下一批次晶圆的相应区域的曝光区域进行补偿,其中,所述下一批次晶圆的划分区域所述当前批次晶圆的划分区域相同;如此,对晶圆进行区域划分,针对不同区域确定出对应的套刻误差补偿值,这样确定出的套刻误差补偿值更符合不同区域在光刻时的实际形变,因此可以提高补偿精度,进而确保了晶圆的质量。
基本信息
专利标题 :
一种套刻误差的补偿方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110941150A
申请号 :
CN201911113826.8
公开(公告)日 :
2020-03-31
申请日 :
2019-11-14
授权号 :
CN110941150B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
马恩泽韦亚一董立松
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京华沛德权律师事务所
代理人 :
房德权
优先权 :
CN201911113826.8
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-15 :
授权
2020-04-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20191114
申请日 : 20191114
2020-03-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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