套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备和存储介质
实质审查的生效
摘要
本公开是关于一种套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备以及计算机可读存储介质,涉及半导体生产制造技术领域。该方法包括:确定组合光刻层组,组合光刻层组包括多个目标光刻层;对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理,得到多层曝光图形,多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识;对多层曝光图形进行套刻精度量测,确定每层曝光图形的套刻量测误差;根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿值,根据误差补偿值进行套刻误差补偿。本公开可以利用具有相同对准标识的多道光刻层进行套刻误差补偿行为一致的特点,优化套刻误差补偿方式,以达到减少套刻误差补偿量测和缩减生产周期的效果。
基本信息
专利标题 :
套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备和存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114518698A
申请号 :
CN202210144575.5
公开(公告)日 :
2022-05-20
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孙彪
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
王辉
优先权 :
CN202210144575.5
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G03F9/00 H01L21/68
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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