套刻误差量测方法和装置
实质审查的生效
摘要

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种套刻误差量测方法和装置。所述套刻误差量测方法包括以下步骤:提供半导体器件,所述半导体器件包括相邻的当前互连层和量测互连层,所述量测互连层位于所述当前互连层下;量测确定第一套刻误差,所述第一套刻误差为所述当前互连层相对于所述量测互连层的套刻误差;量测确定第二套刻误差,所述第二套刻误差为所述量测互连层的套刻误差;使得在所述第一套刻误差基础上叠加带有权重系数的第二套刻误差后,作为所述当前互连层的优化套刻误差。所述套刻误差量测装置用于执行该套刻误差量测方法。本申请提供的套刻误差量测方法和装置,可以解决相关技术中套刻误差量测不准确,容易造成返工的问题。

基本信息
专利标题 :
套刻误差量测方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114428445A
申请号 :
CN202210096917.0
公开(公告)日 :
2022-05-03
申请日 :
2022-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张基智吴长明冯大贵姚振海金乐群王绪根朱联合杨伟
申请人 :
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
戴广志
优先权 :
CN202210096917.0
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220127
2022-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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