形成具有缩小的字线间距的快闪单元阵列的方法
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摘要
一种形成NAND闪存装置的方法包含：在基底上形成控制栅极多晶硅层；在控制栅极多晶硅层上形成掩膜层，掩膜层包括界定闪存装置的多个间隔的字线的掩膜图案，字线彼此间隔一段小于最小特征尺寸的距离，最小特征尺寸可由用于形成至少一部分掩膜层图案的选择的光刻工艺所成像；和通过掩膜层蚀刻控制栅极多晶硅层。
基本信息
专利标题 ：
形成具有缩小的字线间距的快闪单元阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101026094A
申请号 ：
CN200610058007.4
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈宗仁
申请人 ：
晶豪科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市科学园区工业东四路23号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王永红
优先权 ：
CN200610058007.4
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2008-10-15 ：
授权
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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