具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种存储器设备及其制备方法，该存储器设备包括第一导电类型的半导体材料的衬底；在该衬底中间隔开并且具有与该第一导电类型不同的第二导电类型的第一区和第二区，其中该衬底中的第一沟道区在该第一区和该第二区之间延伸；设置在该第一沟道区的与该第二区相邻的第一部分上方并且与该第一部分绝缘的第一浮栅；设置在该第一浮栅上方并且与该第一浮栅绝缘的第一耦合栅；设置在该第一沟道区的与该第一区相邻的第二部分上方并且与该第二部分绝缘的第一字线栅；以及设置在该第一字线栅上方并且与该第一字线栅绝缘的第一擦除栅。
基本信息
专利标题 ：
具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335186A
申请号 ：
CN202011060967.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王春明X·刘宋国祥邢精成N·多
申请人 ：
硅存储技术股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈斌
优先权 ：
CN202011060967.0
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/11521 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
